西数：下一代BiCS+闪存堆叠超过200层今年投入量产

西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。

目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层，美光日前更是宣布全球首个达到232层。

但是西数指出，自家的162层闪存单元尺寸更小，只有68平方毫米，小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度更高，可以提供和竞品相同的单芯片容量。

西数表示，BiCS6 162层堆叠下，一块晶圆就可以做到100TB容量，而目前只有大约70TB。

性能方面，西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元，性能可达60MB/s，比对手快了一半。

西数还预告了下下一代BiCS+闪存，堆叠超过200层，预计可带来60%的传输速度提升、15%的编程带宽提升、55%的晶圆容量提升，然后继续一路堆叠，2032年左右将超过500层!

另外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但没有任何细节消息。

关键词：今年投入量产传输速度提升编程带宽提升任何细节消息

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